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徐義恒

大學時期 : 國立聯合大學 電子工程系

➤ 擔任過衛生幹部
➤ 擔任系上籃球隊隊員
➤ 擔任校內育德社幹部
➤ 專題研究 :『高壓pLDMOS汲極寄生SCR &源極工程之抗ESD可靠度探討』

研究所時期 : 國立中正大學 光機電整合工程研究所

➤ 研究領域: 層狀半導體二維奈米結構之電傳導特性、低維度奈米材料之光電傳輸特性
➤ 碩士論文『藉由化學浴沉積法製作硫化銻-石墨烯光電晶體元件之光電特性分析』
➤ 擔任光電材料分析課程助教
➤ 參加 2019 年『光源模組』產學合作計畫
➤  會使用的儀器包含 : UV-Vis spectrophotometer、半導體雷射、金相顯微鏡、Keithley 2636B、化學氣相沉積系統,化學浴沉積系統、示波器、波型產生器。


希望職位:半導體製程工程師,半導體製程整合工程師,半導體研發工程師

希望工作地點:台灣桃園市
居住地:彰化縣和美鎮

連絡電話 : 0978963488

聯絡信箱 : [email protected]

工作經歷

佳幸科技工程股份有限公司, 暑期學徒, Jul 2018 ~ Aug 2018

產線機台配電、電路拉線、搬運貨物

學歷

國立中正大學, 碩士學位, 光機電整合工程研究所, 2018 ~ 2020

    研究所時期就讀國立中正大學光機電整合工程所,並選擇了由丁初稷教授所帶領的的微光機電材料與元件實驗室。本實驗室以奈米材料及二維層狀結構材料為研究領域,並擁各式機台供每一道製程使用,而我被分配到的題目是實驗室主力研究的材料『石墨烯』,為了瞭解它獨有的特性,必須要從最基本的半導體物理、材料分析技術去了解其結構特性,並了解到石墨烯因其零能隙導致石墨烯有半金屬特性,而這特性使其無法應用在光電元件、邏輯開關電路等等應用,並且我們也發現其光吸收能力很微弱,所以我們在石墨烯上堆疊一半導體材料『硫化銻』增加石墨烯對光的吸收能力,硫化銻其吸收能隙為2.22 eV,吸收波段坐落在UV-NIR波長區段間。

    經研究發現,在未施加閘極電壓並且氙燈波長為550 nm 時硫化銻/石墨烯光電晶體元件有較好的光響應特性和比探測率,因此我們利用此 550 nm 波長去研究在閘極施加電壓是否會改變其光響應特性和比探測率,並完成碩士論文『藉由化學浴沉積法製作硫化銻-石墨烯光電晶體元件之光電特性分析』,從蒐集資料到實現理論使我對自己感到信心,也期許自己能夠在未來遇到挑戰時,能夠帶著堅定意志完成任務。

國立聯合大學, 學士學位, 電子工程學系, 2014 ~ 2018

    大學時期就讀國立聯合大學電子工程系,出身高職體系的我原本就是電子相關科系,對於電子學、電路學等專業科目以及電路實驗課所學習到的示波器、訊號產生器等都有一定程度上的了解,在大三時期的實務專題上,我選擇了陳勝利老師擔任指導教授,並完成『高壓pLDMOS汲極寄生SCR &源極工程之抗ESD可靠度探討』專題,專題外之課程我也選修了半導體元件、半導體元件製程、FPGA 系統實務設計等課程。

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