鍾官諭

國立臺灣科技大學 研究生

  Taipei City, Taiwan

我是鍾官諭,來自高雄市,生於1997年,個性活潑和善,興趣是打網球。我畢業於臺灣科技大學,主修材料科學與工程學系。
在碩士論文中,我以氮摻雜超奈米晶鑽石作為固態碳源,沉積石墨烯在氮化鎵高電子遷移率電晶體。在實驗過程中操作CVD、熱蒸鍍機、拉曼分析 、SEM進行電性量測。我亦在實驗室與中科院的產學合作案中負責助理研究。

 

學歷

國立臺灣科技大學

材料科學與工程學系- 碩士  •  2020 - 2022

國立臺灣科技大學

材料科學與工程學系- 學士   •  2016 - 2020


專案

論文"製備具多層石墨烯/氮摻雜超奈米晶鑽石混成電極之高電子遷移率電晶 體與其特性研究"

使用氮摻雜超奈米晶鑽石薄膜作為固態碳源沉積石墨烯作為電極材料, 以期改善 HEMT 元件在高功率及高頻操作下電性退化問題。完成電極製備後也與傳統金屬電極一起進行電性量測與高溫操作,探討其性能與熱穩定性。 

專題"圖案藍寶石基板成長石墨烯薄膜與其特性之研究"

在 4 吋圖案化藍寶石基板上以氣態碳源製備高品質的石墨烯,石墨烯高導熱系數,能有效將 LED 之廢熱倒出;由於藍寶石與氮化鎵之晶格匹配度不佳,將石墨烯成長於圖案化基板 c 面更能有較降低差排密度。若將此結構應用在 LED 可以有效改進 LED 晶片的光電特性。 

獎項

2020功率半導體材料(氮化鎵&碳化矽)應用元件論壇 學生論文海報比賽-特優獎 

Growth and characterization of GaN thin films on graphene/sapphire substrate

2021功率半導體材料(氮化鎵&碳化矽)應用元件論壇 學生論文海報比賽-特別獎 

Growth and characterizations of nitrogen doped ultrananocrystalline diamond electrode on GaN-based high-power semiconductor devices 

技能

   LED及HEMT元件電性量測      熱蒸鍍      材料分析     拉曼分析      CVD      SEM      Origin8      半導體製程   

語言

   TOEIC — 925