Taipei City, Taiwan
材料科學與工程學系- 碩士 • 2020 - 2022
材料科學與工程學系- 學士 • 2016 - 2020
使用氮摻雜超奈米晶鑽石薄膜作為固態碳源沉積石墨烯作為電極材料, 以期改善 HEMT 元件在高功率及高頻操作下電性退化問題。完成電極製備後也與傳統金屬電極一起進行電性量測與高溫操作,探討其性能與熱穩定性。
在 4 吋圖案化藍寶石基板上以氣態碳源製備高品質的石墨烯,石墨烯高導熱系數,能有效將 LED 之廢熱倒出;由於藍寶石與氮化鎵之晶格匹配度不佳,將石墨烯成長於圖案化基板 c 面更能有較降低差排密度。若將此結構應用在 LED 可以有效改進 LED 晶片的光電特性。
Growth and characterization of GaN thin films on graphene/sapphire substrate
Growth and characterizations of nitrogen doped ultrananocrystalline diamond electrode on GaN-based high-power semiconductor devices
LED及HEMT元件電性量測 熱蒸鍍 材料分析 拉曼分析 CVD SEM Origin8 半導體製程
TOEIC — 925