工作技術重要經歷: 2011年 個人成功以Cl2, CH4, Ar蝕刻混合氣體以感應耦合電漿系統(Inductive Couple Plasma system ,ICP)在四元材料AlGaInP開發出2um脊形波導結構。 2012年 積極參與雷射元件黃光製作，熟悉於曝光、顯影、濕式蝕刻、電漿輔助化學氣相沈積(PECVD)、反應離子蝕刻(RIE)、電鍍金製程(Au plating)相關製程。 2013年 A.個人專案負責評估購置新感應耦合電漿系統，並成功以SiCl4, BCl3, Ar等混合 蝕刻氣體開發出AlGaInP, AlGaAs, InP材料脊形波導結構，並導入製程端。 B.個人專案負責評估購置電鍍金機，成功為廠內導入相關技術並套用至高功率雷 射元件開發產品製程。 2014年 實驗開發雷射新穎技術並發表專利 專利: 大陸專利案 證書 (Our ref. CN10265PAMY) 專利案件名稱：具多層膜披覆絕緣層的脊形波導結構激光二極管 2015年 個人負責廠內635nm雷射量產品管理案，並完成相關量產文件撰寫(黃光製程SOP, BOM表, 料件需求表等)，並協助生管與營業單位出貨事項、客訴處理等。 2016年 個人專案承接交通大學電子工程系林國瑞教授被動鎖模半導體量子點雷射實驗代工，成功製作出量子點雷射元件並為學術單位突破相關雷射特性。 2017年 A.個人專案開發出車用650nm波段耐高溫雷射元件，燒測壽命可達兩萬小時以 上，送樣多家客戶後並成功下單採用。 B.個人專案管理廠內研發光罩重要任務，並承接多間客戶光罩繪製代工(DFB, PD, VCSEL, FP等研發專用工程光罩)。 C.參與開發808nm, 940nm高功率雷射元件黃光製程，並以感應耦合電漿系統在 808nm-4W元件製作出phase- locked laser array結構，得到在Single-lobe 操作下的FFH 縮小至4.6 deg。 D.個人專案承接高雄大學Ring Laser黃光製程代工。 2018年 A.個人專案開發660-10mW Asy DBSCH之磊晶結構產品，成功將原發射垂直角 度28度降至19度並完成再現性實驗及壽命燒測。 B.參與協助(TPL) 808nm Broad Area Laser Bar黃光製程代工。 C.參與協助(Focus light) 808nm Broad Area Laser Bar黃光製程代工。 2019年 A.個人專案承接(光磊)ICP感應耦合電漿乾蝕刻代工，成功獲得驗證並下單。 B.個人專案承接(NCTU) 650 Broad Area process製程代工。 C.參與協助(TPL) 808nm Broad Area Laser Bar製程代工。 (以上年份僅列出重要代工項目，其他負責產品暫不列入)