(一)維護GaAs之0.1um & 0.15um pHEMT產品良率,分析產品問題主因進而
1.大幅降低晶圓報廢率使其改善約75%
2.提升出貨良率使其近乎99%
3.將不符合時宜之製程規範剔除或改良,節省製造成本約10%
(二)以國內少有的電子束微影(e-beam lithography)機台研發新製程
參與pHEMT & GaN新製程開發計畫:將現有材料多方開發或新材料引進及新生產機台評估,後續成功開發並使其功效提高25%
(三)曾至德國與設備廠商進行雙方電子束微影經驗交流
(四)近5年參與公司內部創新及效率競賽並入圍4次
(五)公司極力推廣當責行為:曾獲得年度當責獎項肯定