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沈子揚


簡介:


(一) 『宏觀的眼界,奠定未來工程師之路』 台灣在筆電以及零件代工方面,是全球不可或缺的一環,在半導體方面,台灣也是全球半導體產業的龍頭。也因為如此我也選擇了較有相關性的科系。希望在未來也有機會進入科技業任職。


 (二) 『父母離異,造就獨立生活及負責的態度』 朱自清:『我最不能忘記的,是他的背影』,父母的分開,讓原本僅四人的小家庭,更顯得冷清。雖是如此,我們仍是幸福的一家人。爸爸在工作之餘不忘了打電話來關心我們的冷暖,忙碌的媽媽總會抽空和我們兩兄弟吃吃飯。為了不讓她們倆擔憂,弟弟和我從高中開始住校,自行打理生活一切問題;為了不讓家庭造成負擔,當同儕假日出遊時,我們偶爾打工掙取零用錢。我們兄弟倆彼此都有個共同的心願,希望能早日成為爸媽的依靠。


 (三) 『溝通協調、樂觀面對的能力』 我喜歡在團隊之中明確表達自己的意見,所以我加入了系學會,使我認識各式各樣的朋友。此外我也很喜歡閱讀,透過大量的閱讀薰陶我的心靈,其中我最喜愛的一本書是夏目漱石的─我是貓,作者常用笑來遮蓋苦澀的表情,用幽默來表達悲痛悽苦的情,告訴人們要用樂觀的態度面對挫折,不須擔心未知的失敗。美國鋼鐵大王卡內基曾說:『人們所擔心的事情,有百分之九十不會發生, 剩下的百分之十,就算發生了你也無法改變他。』我們又何必擔憂呢?


 (四)『總結』 綜觀來看,我並不是數一數二的高材生,會選擇到科技業,是為了完成對自己的期許,古人云:『人生就像一盤沙,一把抓下,你一定無法全部拿起,但你總不會一無所獲。』若是有幸進入公司任職,在不會的地方我會積極發問,用我的態度、勤奮補足這些不足,不論是多辛苦的過程,我也會不辭辛勞趕上,若是名落孫山,準備面試的日子裡,我學習到撰寫自傳文章,搜尋資料和歸納整理的能力,總不會一無所獲的。


我的職涯規劃為接觸各種不同的半導體製程以及測試相關,基本的製程觀念在學期間皆有學習因此對於這方面並不陌生,因此對於製程流程都很有興趣。若您的公司不是做製程的也沒關係,只要是跟我職涯有關,且對我有興趣的話,都歡迎聯絡我!



        

目前職稱 產品測試工程師
城市,TW
r[email protected]

技能


Process

  • MOS
  • Semiconductor process
  • product testing(FT)
  • Yield analysis
  • Word / PPT / Excel 









English ability

聽/中等

說/中等

讀/中等

寫/中等

工作經歷

京元電子股份有限公司,2020 年 9 月 - 2021 年 4 月

主要工作內容:


  1. 產品分析報告
  2. 新產品導入 
  3. 測試程式撰寫、維護
  4. 異常分析及處理 
  5. 良率改善 
  6. 報表製作及工程分析


  • 依照客戶的需求維持良率控管、新客戶/新產品導入、協助客戶工程、分析/改善生產狀況...等,溝通/理解也是重要的一環, 在新產品導入時除了 一些事情可能業務會幫忙出面,有問題時通常廠內/客戶都是先找產品工程師,這時我們就要負責去溝通,當不是我們公司所造成的問題時則需要請人幫忙。


  •  主要在廠內負責聯發科的客戶,從新產品導入->驗證程式->跨機台驗證->配件release-> 量產,中間都需要密切的跟客戶接洽,當良率出現任何異常時需做初步的異常排除,程 式方面則需要詢問客戶,當發現程式有異常時則跟客戶討論是否可以修改,或者放寬spec 讓產品良率得以提升。

頎邦科技股份有限公司,2017 年 7 月 - 2018 年 7 月

由於這份工作是實習,因此只有一年的時間。在這期間我接觸到了幾個製程,分別為塗佈、顯影、蝕刻、除膠等,在部門裡只要遇到部會的問題都勇於發問,主要工作內容都在熟悉機台,以及支援各部門,在此時實習期間與同事以及主管相處融洽,在我申請研究所時主管也很樂意幫我寫了推薦函,是一個相當充實的實習體驗。

學歷

國立高雄科技大學, 碩士學位,半導體工程所 2018 年 9月 - 2020 年 7 月

- 碩士學位論文 : 以液相沉積法製備二氧化鋯/氧化鋁閘極氧化層堆疊之電特性研究 Electrical characteristics of ZrO2/Al2O3 gate oxide stacks by liquid phase deposition

- 虎尾科大IEEE ICAM2018 研討會

- 紐西蘭 ICSET 2020 研討會

國立高雄科技大學, 微電子工程系, 2014 年 9 月 - 2018 年 6 月

- 擔任康樂、半導體課程助教

- 頎邦科技股份有限公司實習

- 參與系學會,擔任營隊隊輔以及財務長

- 取得 電腦硬體裝修乙級、電腦硬體裝修丙級

論文研究題目

以液相沉積法製備二氧化鋯/氧化鋁閘極氧化層堆疊之電特性研究

本研究使用三種金屬氧化物半導體(MOS)結構,分別為液相沉積法(LPD)Al2O3、ZrO2和ZrO2 / Al2O3雙層結構,使用的基板為P型矽(Si)基板。沉積完薄膜後在550度的O2及Air中進行退火,使用氧氣的目的以減少薄膜中的氧空缺此降低氧空缺對薄膜所造成的缺陷。疊層的部分使用Al2O3的目的是具有較大的能障(Φb)以阻擋漏電流。本研究透過高頻(1 MHz)C-V測量來獲得Al / ZrO2 / Al2O3 / Si MOS的電特性。由於氧空缺會導致能隙變小能障變低,因此我們也使用兩種不同漏電流機制來計算能障高度(Φb),用來佐證氧空缺及雙層結構是否有改善造成的缺陷。
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