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大學時期 : 國立聯合大學 電子工程系

➤  擔任過衛生幹部
➤  擔任系上籃球隊隊員
➤  擔任校內育德社幹部
➤  專題研究 :『高壓pLDMOS汲極寄生SCR &源極工程之抗ESD可靠度探討』


研究所時期 : 國立中正大學 光機電整合工程研究所

➤  研究領域： 層狀半導體二維奈米結構之電傳導特性、低維度奈米材料之光電傳輸特性
➤  碩士論文『藉由化學浴沉積法製作硫化銻-石墨烯光電晶體元件之光電特性分析』
➤  擔任光電材料分析課程助教
➤  參加 2019 年『光源模組』產學合作計畫
➤  能使用的儀器包含 : UV-Vis spectrophotometer、半導體雷射、金相顯微鏡、Keithley 2636B、化學氣相沉積系統，化學浴沉積系統、示波器、波型產生器。


    研究所時期就讀國立中正大學光機電整合工程所，並選擇了由丁初稷教授所帶領的的微光機電材料與元件實驗室。本實驗室以奈米材料及二維層狀結構材料為研究領域，並擁各式機台供每一道製程使用，而我被分配到的題目是二維材料『石墨烯』，為了瞭解它獨有的特性，必須要從最基本的半導體物理、材料分析技術去了解其結構特性，並了解到石墨烯因其零能隙導致石墨烯有半金屬特性，而這特性使其無法應用在光電元件、邏輯開關電路等等應用，並且我們也發現其光吸收能力很微弱，所以我們在石墨烯上堆疊一半導體材料『硫化銻』增加石墨烯對光的吸收能力，硫化銻其吸收能隙為2.22 eV，吸收波段坐落在UV-NIR波長區段間。

    經研究發現，在未施加閘極電壓並且氙燈波長為550 nm 時硫化銻/石墨烯光電晶體元件有較好的光響應特性和比探測率，因此我們利用此 550 nm 波長去研究在閘極施加電壓是否會改變其光響應特性和比探測率，並完成碩士論文『藉由化學浴沉積法製作硫化銻-石墨烯光電晶體元件之光電特性分析』，從蒐集資料到實現理論使我對自己感到信心，也期許自己能夠在未來遇到挑戰時，能夠帶著堅定意志完成任務。

國立中正大學

大學時期就讀國立聯合大學電子工程系，出身高職體系的我原本就是電子相關科系，對於電子學、電路學等專業科目以及電路實驗課所學習到的示波器、訊號產生器等都有一定程度上的了解，在大三時期的實務專題上，我選擇了陳勝利老師擔任指導教授，並完成『高壓pLDMOS汲極寄生SCR &源極工程之抗ESD可靠度探討』專題，專題外之課程我也選修了半導體元件、半導體元件製程、FPGA 系統實務設計等課程。

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